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硅片光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品雙面超精機(jī)通常先采用蠟粘單面拋光，之后再進(jìn)行無蠟背面拋光，這樣在拋光過程中至少需要兩次清洗，而且涉及粘蠟、去蠟等工藝。

拋光之后的表面平整度很大程度上受拋光蠟、粘蠟工藝水平的影響，涂蠟的均勻性對(duì)拋光片的平整度、翹曲度有著重要的影響。

光學(xué)硅片雙面拋光機(jī)，不僅在拋盤上裝有拋光墊，而且在拋頭上也裝有拋光墊，雙墊之間采用游龍盤裝載硅晶圓片，拋光液由上盤采用多孔注入方式加至雙墊之間。

光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品雙面超精機(jī)采用雙墊雙面拋光，避免了粘蠟、去蠟工藝，減少了清洗工序次數(shù)，而且改善了拋光片的平整性能。但雙墊雙拋工藝中，硅晶圓片僅僅被限制于游龍盤的孔內(nèi)，在孔內(nèi)受到摩擦力時(shí)可以旋轉(zhuǎn)，相應(yīng)的相對(duì)摩擦效果降低，進(jìn)而降低了去除速率。

化學(xué)機(jī)械拋光是機(jī)械和化學(xué)作用的綜合效果，單一的增強(qiáng)機(jī)械作用會(huì)增大表面損傷，單一的提高化學(xué)作用會(huì)降低表面平整效果。

二者的相互平衡不僅可以保證高拋光速率，而且可以實(shí)現(xiàn)高的拋光表面。對(duì)于雙墊雙拋工藝，與單面拋光相比，光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品雙面超精機(jī)采用的拋光液相同的情況下，由于硅晶圓片的可滑動(dòng)性，使得機(jī)械摩擦作用有些減弱，從而影響拋光效率。

光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品雙面超精機(jī)可研磨各種：硅片、玻璃、藍(lán)寶石等。